КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIRFB59N10DPBF

IRFB59N10DPBF, Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 100В; 59А; 200Вт, INTERNATIONAL RECTIFIER

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IRFB59N10DPBF
  • Производитель: INTERNATIONAL RECTIFIER
  • Доп.наименование: Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 100В; 59А; 200Вт
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Технические параметры
    • Корпус: TO220AB
    • Монтаж: THT
    • Мощность: 200 Вт
    • Ток стока: 59 А
    • Полярность: полевой
    • Заряд затвора: 76нC
    • Тип транзистора: МОП n-канальный
    • Напряжение сток-исток: 100 В
    • Напряжение затвор-исток: 30 В
    • Сопротивление в открытом состоянии: 25 мО м
    • Тепловое сопротивление переход-корпус: 750мК/Вт



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*