КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыIPS511GTR

IPS511GTR, МОП-транзистор N, 50 V 1.4 A 1 W SOIC-8, IR

Арт: 300-02-230
  • добавить в избранное
  • Арт: 300-02-230
  • Наименование: IPS511GTR
  • Производитель: IR
  • Доп.наименование: МОП-транзистор N, 50 V 1.4 A 1 W SOIC-8
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    МОП-транзистор
    Старый арт.: 30-002-230 Семейство Силовые МОП-транзисторы, IR Технические параметры
    • Ток стока: 1.4 A
    • Полярность: N
    • Сопротивление включения: 150 mΩ
    • Питающее напряжение стока: 50 V
    • Рабочая температура, мин.: -40 °C
    • Рабочая температура: -40...+150 °C
    • Тип корпуса: SOIC-8
    • Рабочая температура, макс.: +150 °C
    • Рассеяние мощности: 1 W



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*