КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыDMG3407SSN-7

DMG3407SSN-7, MOSFET P, 30 V 4 A 1.1 W SC-59, DIODES

Арт: 300-41-379
  • добавить в избранное
  • Арт: 300-41-379
  • Наименование: DMG3407SSN-7
  • Производитель: DIODES
  • Доп.наименование: MOSFET P, 30 V 4 A 1.1 W SC-59
  • Склад:

    Семейство
    Low On-resistance Low gate threshold voltage Low input capacitance Технические параметры
    • Polarity: P
    • Housing type: SC-59
    • Drain current: 4 A
    • Closing resistance: 39 mOhm@ 4.1 A, 10 V
    • Drain source voltage: 30 V



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*