КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыDMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7, MOSFET N/P, 30 V 3.4 A 840 mW TSOT-26, DIODES

Арт: 300-41-382
  • добавить в избранное
  • Арт: 300-41-382
  • Наименование: DMG6602SVT-7
  • Производитель: DIODES
  • Доп.наименование: MOSFET N/P, 30 V 3.4 A 840 mW TSOT-26
  • Склад:

    Семейство
    Low On-resistance Low gate threshold voltage Low input capacitance Технические параметры
    • Polarity: N/P
    • Housing type: TSOT-26
    • Drain current: 3.4 A
    • Closing resistance: 38 mOhm@ 3.1 A, 10 V
    • Drain source voltage: 30 V



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*