КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыDMG6898LSD-13

DMG6898LSD-13, MOSFET N/N, 20 V 9.5 A 1.28 W SO-8, DIODES

Арт: 300-41-383
  • добавить в избранное
  • Арт: 300-41-383
  • Наименование: DMG6898LSD-13
  • Производитель: DIODES
  • Доп.наименование: MOSFET N/N, 20 V 9.5 A 1.28 W SO-8
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Семейство
    Low On-resistance Low gate threshold voltage Low input capacitance Технические параметры
    • Marking: G6898LD
    • Polarity: N/N
    • Variants: Enhancement mode
    • Housing type: SO-8
    • Drain current: 9.5 A
    • Closing resistance: 11 mOhm@ 4.4 A, 4.5 V
    • Drain source voltage: 20 V
    • Operating temperature: -55...+150 ;C
    • Power dissipation: 1.28 W



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*