КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA, ZXMN10A08GTA, Diodes/Zetex

Арт: 300-41-565
ZXMN10A08GTA, ZXMN10A08GTA, Diodes/Zetex
  • Склад:

    Технические параметры
    • Polarity: N
    • Variants: Enhancement mode
    • Housing type: SOT-223
    • Drain current: 2.9 A
    • Closing resistance: 250 mOhm@ 2.9 A, 10 V
    • Drain source voltage: 100 V
    • Operating temperature: -55...+150 °C
    • Power dissipation/W: 2



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*

    Нажимая на кнопку "Отправить", вы даете согласие на обработку своих персональных данных.Текст соглашения.