КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыBSH108,215

BSH108,215, MOSFET N, 30 V 1.9 A 830 mW SOT-23, NXP (PHILIPS)

Арт: 300-57-566
  • добавить в избранное
  • Арт: 300-57-566
  • Наименование: BSH108,215
  • Производитель: NXP (PHILIPS)
  • Доп.наименование: MOSFET N, 30 V 1.9 A 830 mW SOT-23
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Технические параметры
    • Polarity: N
    • Housing type: SOT-23
    • Drain current: 1.9 A
    • Closing resistance: 0.077 Ohm
    • Drain source voltage: 30 V
    • Operating temperature: -55...+150 °C
    • Power dissipation/mW: 830



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*