КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыBSH201,215

BSH201,215, MOSFET P, 60 V 0.3 A 417 mW SOT-23, NXP

Арт: 300-57-567
BSH201,215, MOSFET P, 60 V 0.3 A 417 mW SOT-23, NXP
  • добавить в избранное
  • Арт: 300-57-567
  • Наименование: BSH201,215
  • Производитель: NXP
  • Доп.наименование: MOSFET P, 60 V 0.3 A 417 mW SOT-23
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Polarity: P
    • Housing type: SOT-23
    • Drain current: 0.3 A
    • Closing resistance: 2.1 Ohm
    • Drain source voltage: 60 V
    • Operating temperature: -55...+150 °C
    • Power dissipation/mW: 417