КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыIRFHM830TR2PBF

IRFHM830TR2PBF, МОП-транзистор N, 30 V 21 A 2.7 W PQFN-8 (3x3), IR

Арт: 171-01-251
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-01-251
  • Наименование: IRFHM830TR2PBF
  • Производитель: IR
  • Доп.наименование: МОП-транзистор N, 30 V 21 A 2.7 W PQFN-8 (3x3)
  • Склад:

    МОП-транзистор
    Старый арт.: 71-012-51 Семейство Силовые МОП-транзисторы HEXFET Технические параметры
    • Ток стока: 21 A
    • Полярность: N
    • Время восстановления: 26 ns
    • Сопротивление включения: 3.8 mΩ
    • Питающее напряжение стока: 30 V
    • Рабочая температура, мин.: -55 °C
    • Рабочая температура: -55...+150 °C
    • Тип корпуса: PQFN-8 (3x3)
    • Рабочая температура, макс.: +150 °C
    • Рассеяние мощности: 2.7 W



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*