КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыIRFR825PBF

IRFR825PBF, МОП-транзистор N, 500 V 6.0 A 119 W DPAK, IR

Арт: 171-01-266
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-01-266
  • Наименование: IRFR825PBF
  • Производитель: IR
  • Доп.наименование: МОП-транзистор N, 500 V 6.0 A 119 W DPAK
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    МОП-транзистор
    Старый арт.: 71-012-66 Семейство Силовые МОП-транзисторы HEXFET Технические параметры
    • Ток стока: 6.0 A
    • Полярность: N
    • Время восстановления: 138 ns
    • Сопротивление включения: 1.3 Ω
    • Питающее напряжение стока: 500 V
    • Рабочая температура, мин.: -55 °C
    • Рабочая температура: -55...+150 °C
    • Тип корпуса: DPAK
    • Рабочая температура, макс.: +150 °C
    • Рассеяние мощности: 119 W



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*