КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыIXFH58N20

IXFH58N20, MOSFET N, 200 V 58 A 300 W TO-247AD, IXYS

Арт: 171-31-232
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-31-232
  • Наименование: IXFH58N20
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: MOSFET N, 200 V 58 A 300 W TO-247AD
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Технические параметры
    • Polarity: N
    • Variants: Enhancement mode
    • Housing type: TO-247AD
    • Drain current: 58 A
    • Recovery time: 200 ns
    • Closing resistance: 40 mOhm
    • Drain source voltage: 200 V
    • Operating temperature: -55...+150 °C
    • Power dissipation/W: 300



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*