КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыIXFH6N100

IXFH6N100, MOSFET N, 1000 V 6 A 180 W TO-247AD, IXYS

Арт: 171-31-233
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-31-233
  • Наименование: IXFH6N100
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: MOSFET N, 1000 V 6 A 180 W TO-247AD
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Технические параметры
    • Polarity: N
    • Variants: Enhancement mode
    • Housing type: TO-247AD
    • Drain current: 6 A
    • Recovery time: 250 ns
    • Closing resistance: 2.00 Ohm
    • Drain source voltage: 1000 V
    • Operating temperature: -55...+150 °C
    • Power dissipation/W: 180



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*

    Нажимая на кнопку "Отправить", вы даете согласие на обработку своих персональных данных.Текст соглашения.