КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыIXFN120N20

IXFN120N20, MOSFET N, 200 V 120 A 600 W SOT-227B, IXYS

Арт: 171-31-362
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-31-362
  • Наименование: IXFN120N20
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: MOSFET N, 200 V 120 A 600 W SOT-227B
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Технические параметры
    • Polarity: N
    • Variants: Enhancement mode
    • Housing type: SOT-227B
    • Drain current: 120 A
    • Recovery time: 250 ns
    • Closing resistance: 17 mOhm
    • Drain source voltage: 200 V
    • Operating temperature: -55...+150 °C
    • Power dissipation/W: 600



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*