КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыIXFN36N100

IXFN36N100, МОП-транзистор N, 1000 V 36 A 700 W SOT-227B, IXYS

Арт: 171-31-373
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-31-373
  • Наименование: IXFN36N100
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: МОП-транзистор N, 1000 V 36 A 700 W SOT-227B
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    МОП-транзистор
    Старый арт.: 71-313-73 Семейство N-канальные силовые полевые транзисторы
    Силовые HiPerFET™ MOП-транзисторы теперь доступны в Q классе. Благодаря новой микросхеме для данной серии была реализована низкая емкость линии. Таким образом, транзистор может быть переключен на высоких частотах с низкой производительностью привода.
    Высокопроизводительные MOП-транзисторы с диодами с накоплением заряда
    Предназначены для низкой dv/dt чувствительности во время коммутации по току
    Для конфигурации моста с индуктивной нагрузкой не требуются внешние возвратные диоды Технические параметры
    • Варианты: Режим усиления
    • Ток стока: 36 A
    • Полярность: N
    • Время восстановления: 180 nstyp
    • Сопротивление включения: 0.24 Ω
    • Питающее напряжение стока: 1000 V
    • Рабочая температура, мин.: -55 °C
    • Рабочая температура: -55...150 °C
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Рабочая температура, макс.: 150 °C
    • Рассеяние мощности: 700 W



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*