КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыIXFN80N50

IXFN80N50, МОП-транзистор N, 500 V 80 A 780 W SOT-227B, IXYS

Арт: 171-31-374
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-31-374
  • Наименование: IXFN80N50
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: МОП-транзистор N, 500 V 80 A 780 W SOT-227B
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    МОП-транзистор
    Старый арт.: 71-313-74 Семейство N-канальные силовые полевые транзисторы
    Силовые HiPerFET™ MOП-транзисторы теперь доступны в Q классе. Благодаря новой микросхеме для данной серии была реализована низкая емкость линии. Таким образом, транзистор может быть переключен на высоких частотах с низкой производительностью привода.
    Высокопроизводительные MOП-транзисторы с диодами с накоплением заряда
    Предназначены для низкой dv/dt чувствительности во время коммутации по току
    Для конфигурации моста с индуктивной нагрузкой не требуются внешние возвратные диоды Технические параметры
    • Варианты: Режим усиления
    • Ток стока: 80 A
    • Полярность: N
    • Время восстановления: 250 ns
    • Сопротивление включения: 55 mΩ
    • Питающее напряжение стока: 500 V
    • Рабочая температура, мин.: -55 °C
    • Рабочая температура: -55...150 °C
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Рабочая температура, макс.: 150 °C
    • Рассеяние мощности: 780 W



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*