КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыIRF6710S2TR1PBF

IRF6710S2TR1PBF, МОП-транзистор N, 25 V 12 A 1.8 W DirectFET, IR

Арт: 171-37-212
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-37-212
  • Наименование: IRF6710S2TR1PBF
  • Производитель: IR
  • Доп.наименование: МОП-транзистор N, 25 V 12 A 1.8 W DirectFET
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    МОП-транзистор
    Старый арт.: 71-372-12 Семейство Силовые полевые транзисторы Технические параметры
    • Ток стока: 12 A
    • Полярность: N
    • Время восстановления: 21 ns
    • Сопротивление включения: 4.5 mΩ
    • Питающее напряжение стока: 25 V
    • Рабочая температура, мин.: -40 °C
    • Рабочая температура: -40...150 °C
    • Тип корпуса: DirectFET
    • Рабочая температура, макс.: 150 °C
    • Рассеяние мощности: 1.8 W



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*