КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыIRF7759L2TR1PBF

IRF7759L2TR1PBF, МОП-транзистор N, 75 V 26 A 3.3 W DirectFET, IR

Арт: 171-37-227
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-37-227
  • Наименование: IRF7759L2TR1PBF
  • Производитель: IR
  • Доп.наименование: МОП-транзистор N, 75 V 26 A 3.3 W DirectFET
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    МОП-транзистор
    Старый арт.: 71-372-27 Семейство Силовые полевые транзисторы Технические параметры
    • Ток стока: 26 A
    • Полярность: N
    • Время восстановления: 96 ns
    • Сопротивление включения: 1.8 mΩ
    • Питающее напряжение стока: 75 V
    • Рабочая температура, мин.: -55 °C
    • Рабочая температура: -55...175 °C
    • Тип корпуса: DirectFET
    • Рабочая температура, макс.: 175 °C
    • Рассеяние мощности: 3.3 W



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*