КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторы IGBTIRF7820PBF

IRF7820PBF, Power FET SO-8 N 200 V 3.7 A, IR

Арт: 300-38-464
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Семейство
    Logic level gate drive Low on-resistance Технические параметры
    • Polarity: N
    • Housing type: SO-8
    • Drain current: 3.7 A
    • Closing resistance: 78 mOhm
    • Drain source voltage: 200 V



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*