КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторы IGBTIRFH5210TRPBF

IRFH5210TRPBF, Power FET PQFN-6 (2x2) N 100 V 10 A, IR

Арт: 300-38-469
  • добавить в избранное
  • Арт: 300-38-469
  • Наименование: IRFH5210TRPBF
  • Производитель: IR
  • Доп.наименование: Power FET PQFN-6 (2x2) N 100 V 10 A
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Семейство
    Logic level gate drive Low on-resistance Технические параметры
    • Polarity: N
    • Variants: Enhancement mode
    • Housing type: PQFN-6 (2x2)
    • Drain current: 10 A
    • Closing resistance: 14.9 mOhm
    • Drain source voltage: 100 V
    • Operating temperature: -55...+150 ;C
    • Power dissipation: 3.6 W



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*