МОП-транзистор Семейство Smart SIPMOS HITFET Технические параметры
- Привод: логический уровень
- Варианты: Режим усиления
- Ток стока: 12 А
- Полярность: N
- Тип корпуса: TO-220SMD
- Рабочая температура: -40...+150 °C
- Сопротивление включения: 28 mΩ
- Питающее напряжение стока: 60 В
- Рабочая температура, мин.: -40 °C
- Рабочая температура, макс.: +150 °C
- Рассеяние мощности: 149 Вт