КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTIRGS6B60KDTRRP

IRGS6B60KDTRRP, IGBT D-PAK 600 V 13 A, IR

Арт: 300-38-486
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Семейство
    Lower collector-emitter saturation voltage than punch-through (PT) and non-punch-through (NPT) IGBTs IGBTs operate at junction temperatures of up to 175 ;C Технические параметры
    • Housing type: D-PAK
    • Collector current: 13 A
    • Collector-emitter breakdown voltage: 600 V
    • Power dissipation: 90 W



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*