КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTIXDN75N120

IXDN75N120, Транзисторы IGBT SOT-227B 1200 V 120 A, IXYS

Арт: 171-00-369
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-00-369
  • Наименование: IXDN75N120
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Транзисторы IGBT SOT-227B 1200 V 120 A
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Транзисторы IGBT
    Старый арт.: 71-003-69 Семейство Биполярные транзисторы с изолированным затвором Технические параметры
    • Ток коллектора: 120 A
    • Время отключения тока: 70 ns
    • Напряжение пробоя коллектор-эммитер: 1200 V
    • Напряжение насыщения коллектор-эммитер: 3.5 V
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Рассеяние мощности: 630 W



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*