КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTIXDN55N120D1

IXDN55N120D1, Транзисторы IGBT SOT-227B 1200 V 85 A, IXYS

Арт: 171-00-370
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-00-370
  • Наименование: IXDN55N120D1
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Транзисторы IGBT SOT-227B 1200 V 85 A
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Транзисторы IGBT
    Старый арт.: 71-003-70 Семейство Биполярные транзисторы с изолированным затвором Технические параметры
    • Ток коллектора: 85 A
    • Время отключения тока: 70 ns
    • Напряжение пробоя коллектор-эммитер: 1200 V
    • Напряжение насыщения коллектор-эммитер: 2.5 V
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Рассеяние мощности: 450 W



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*