КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули IGBTBSM 75GB 120DN2

BSM 75GB 120DN2, Модули IGBT 34 mm 1200 V, Infineon

Арт: 171-00-003
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-00-003
  • Наименование: BSM 75GB 120DN2
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Модули IGBT 34 mm 1200 V
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Модули IGBT
    Старый арт.: 71-000-03 Семейство Биполярный транзистор с изолированным затвором
    Управление по току
    Простое параллельное подключение
    Защита от перегрузки (без вторичного пробоя)
    Лавинная защита
    Отличное сочетание MOSFET и биполярных транзисторов
    Скорость переключения, функция управления и надежность соответствует силовому MOП-транзистору
    Очень низкое сопротивление во включенном состоянии, которое можно сравнить с биполярной парой Дарлингтона
    Биполярный транзистор с изолированным затвором не оснащен встречными диодами Технические параметры
    • Крепление: 2 x M6
    • Соединение: 3 x M5
    • Configuration: Half-Bridge
    • Ток коллектора: 105 A Tc=25 °C
    • Напряжение коллектор-эммитер: 1200 V
    • Напряжение насыщения коллектор-эммитер: 3.0 V
    • Тип корпуса: 34 mm



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*