КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули IGBTBSM 400GA120DN2

BSM 400GA120DN2, Модули IGBT 62 mm 1200 V, Infineon

Арт: 171-00-016
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-00-016
  • Наименование: BSM 400GA120DN2
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Модули IGBT 62 mm 1200 V
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Модули IGBT
    Старый арт.: 71-000-16 Семейство Модули биполярного транзистора с изолированным затвором
    С управлением по напряжению
    Простое параллельное переключение
    Высокая допустимая перегрузка
    Высокие частоты переключения
    Мощность включения и прочность соответствуют силовому МОП-транзистору
    Каждый биполярный транзистор с изолированным затвором оснащен встречным диодом
    Некоторые модули оснащены встроенным выпрямителем мощности и тормозным модулятором (PIM) для основного напряжения от 230 до 690 V и выше Технические параметры
    • Крепление: 4 x M6
    • Соединение: 2 x M6, 3 x M4
    • Configuration: Single
    • Ток коллектора: 550 A Tc=25 °C
    • Напряжение коллектор-эммитер: 1200 V
    • Напряжение насыщения коллектор-эммитер: 3.1 V
    • Тип корпуса: 62 mm



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*