Технические параметры Корпус: Y2-DCBПрямой ток макс.: 320 АКонструкция диода: тиристор/диодОбратное напряжение макс.: 1.6 кВДинамическое сопротивление: 0.82 мО мТип полупроводникового элемента: диодно-тиристорный модуль