Технические параметры
- Корпус: SO8
- Монтаж: SMD
- Интерфейс: Microwire
- Время доступа: 6мс
- Тактовая частота: 3 МГц
- Рабочее напряжение: 2.5...5.5В
- Рабочая температура: -40...85°C
- Вид памяти: EEPROM
- Емкость памяти: 4кбит
- Тип микросхемы: микросхема памяти
- Структура памяти: 512x8/256x16бит
- Количество циклов макс.: 1000000