Светодиод с резистора Семейство СИДы со встроенными резисторами Технические параметры
- Корпус: 3 mm (T1)
- Технология: GaAsP/GaP
- Тип корпуса: диффузный
- Цвет корпуса: желтый
- Цвет освещения: желтый
- Угол рассеивания: 40 °
- Прямое напряжение: 5 В
- Пиковая длина волны: 590 nm
- Рабочая температура: -40...+70 °C
- Интенсивность освещения: 8...15 mcd
- Доминирующая длина волны: 588 nm
- Рабочая температура, мин.: -40 °C
- Рабочая температура, макс.: +70 °C
- Интенсивность освещения, мин.: 8 mcd
- Напряжение проводимости, макс.: 5 В
- Номинальный ток в закрытом состоянии: 12 мА