IXDN75N120, Транзисторы IGBT SOT-227B 1200 V 120 A, IXYS
Арт: 171-00-369
- добавить в избранное
- Арт: 171-00-369
- Наименование: IXDN75N120
- Производитель: IXYS
- Доп.наименование: Транзисторы IGBT SOT-227B 1200 V 120 A
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзисторы IGBT Семейство
Биполярные транзисторы с изолированным затвором
Технические параметры
- Описание: SCSOA без диода с накоплением заряда
- Тип корпуса: SOT-227B
- Ток коллектора: 120 А
- Время отключения тока: 70 ns
- Напряжение пробоя коллектор-эммитер: 1200 В
- Напряжение насыщения коллектор-эммитер: 3.5 В
- Рассеяние мощности: 630 Вт