КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыДиодыМалосигнальные диоды1N914BWT

1N914BWT, Диод: импульсный; SMD; 75В; 0,3А; 4нс; SOD523F; Ufmax: 1В; Ir: 5мкА, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 302-30-779
1N914BWT, Диод: импульсный; SMD; 75В; 0,3А; 4нс; SOD523F; Ufmax: 1В; Ir: 5мкА, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-30-779
  • Наименование: 1N914BWT
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Диод: импульсный; SMD; 75В; 0,3А; 4нс; SOD523F; Ufmax: 1В; Ir: 5мкА
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Диод: импульсный; SMD; 75В; 0,3А; 4нс; SOD523F; Ufmax: 1В; Ir: 5мкА Технические параметры
    • Capacitance: 4pF
    • Case: SOD523F
    • Diode type: switching
    • Features of semiconductor devices: fast switching
    • Forward Voltage (Vf): 1V
    • Kind of package: tape
    • Leakage current: 5µA
    • Load current: 0.3A
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Max. forward voltage: 1V
    • Mounting: SMD
    • Mounting Type: SMD
    • MSL: Level-1
    • Off state voltage max.: 75V
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Outputs: 2
    • Package Type: SOD-523F
    • Packaging: Tape & Reel
    • Peak Average Forward Current (If(AV)): 300mA
    • Peak Reverse Current: 5µA
    • Phases: Single
    • Power dissipation: 200mW
    • Power Dissipation (Pd): 200mW
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Reverse recovery time: 4ns
    • Reverse Recovery Time (trr): 4ns
    • Reverse Repetitive Voltage Max. (Vrrm): 75V
    • Ripple & Noise (%): -999
    • Semiconductor structure: single diode
    • Thermal Resistance: 500Вт/градус