Диод: импульсный; THT; 100В; 150мА; Упаковка: Ammo Pack; DO35; 4нс Технические параметры
- Capacitance: 4pF
- Diode type: импульсный
- Forward current: 150mA
- Forward voltage at If: 1V
- Housing: DO35
- Kind of package: Ammo Pack
- Load current: 150mA
- Manufacturer: Taiwan Semiconductor
- Max. forward impulse current: 2A
- Max. load current: 450mA
- Mount: THT
- Mounting: THT
- Off state voltage max.: 100V
- Package: DO35
- Reverse recovery time: 4ns
- Semiconductor structure: одиночный диод
- Время готовности: 4ns
- Емкость: 4pF
- Мощность: 500mW
- Прямой ток макс.: 450mA