Диод: импульсный; SMD; 200В; 125мА; 50нс; Упаковка: бобина, лента Технические параметры
- Diode type: импульсный
- Features of semiconductor devices: быстрый диод
- Forward current: 125mA
- Forward voltage at If: 1.25V
- Housing: SOT23
- Kind of package: бобина
- Load current: 125mA
- Manufacturer: NEXPERIA
- Max. forward impulse current: 9A
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- Off state voltage max.: 200V
- Package: SOT23
- Reverse recovery time: 50ns
- Semiconductor structure: двойной
- Время готовности: 50ns