КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыДиодыМалосигнальные диоды1N4007G-R0

1N4007G-R0, Диод: импульсный; THT; 1кВ; 1А; Упаковка: бобина,лента; DO41, Taiwan Semiconductor

Арт:
1N4007G-R0, Диод: импульсный; THT; 1кВ; 1А; Упаковка: бобина,лента; DO41, Taiwan Semiconductor
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: 1N4007G-R0
  • Производитель: Taiwan Semiconductor
  • Доп.наименование: Диод: импульсный; THT; 1кВ; 1А; Упаковка: бобина,лента; DO41
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Load current: 1A
    • Diode type: switching
    • Kind of package: tape
    • Max. forward voltage: 1V
    • Off state voltage max.: 1kV
    • Semiconductor structure: single diode
    • Max. forward impulse current: 30A
    • Features of semiconductor devices: glass passivated
    • Mounting: THT
    • Case: DO41
    • Capacitance: 10pF