1N4007G-R0, Диод: импульсный; THT; 1кВ; 1А; Упаковка: бобина,лента; DO41, Taiwan Semiconductor
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: 1N4007G-R0
- Производитель: Taiwan Semiconductor
- Доп.наименование: Диод: импульсный; THT; 1кВ; 1А; Упаковка: бобина,лента; DO41
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Load current: 1A
- Diode type: switching
- Kind of package: tape
- Max. forward voltage: 1V
- Off state voltage max.: 1kV
- Semiconductor structure: single diode
- Max. forward impulse current: 30A
- Features of semiconductor devices: glass passivated
- Mounting: THT
- Case: DO41
- Capacitance: 10pF
