КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыДиодыМалосигнальные диодыSBAS16LT1G

SBAS16LT1G, Диод: импульсный; SMD; 100В; 200мА; 6нс; SOT23; Ufmax: 1,25В; Ifsm: 3А, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
SBAS16LT1G, Диод: импульсный; SMD; 100В; 200мА; 6нс; SOT23; Ufmax: 1,25В; Ifsm: 3А, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: SBAS16LT1G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Диод: импульсный; SMD; 100В; 200мА; 6нс; SOT23; Ufmax: 1,25В; Ifsm: 3А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Диод: импульсный; SMD; 100В; 200мА; 6нс; SOT23; Ufmax: 1,25В; Ifsm: 3А Технические параметры
    • Capacitance: 2pF
    • Case: SOT23
    • Diode type: switching
    • Leakage current: 30µA
    • Load current: 200mA
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Max. forward impulse current: 3A
    • Max. forward voltage: 1.25V
    • Mounting: SMD
    • Off state voltage max.: 100V
    • Power dissipation: 225/300mW
    • Reverse recovery time: 6ns
    • Semiconductor structure: single diode