BAS16TT1G, Диод: импульсный; SMD; 100В; 200мА; 6нс; SOT416; Ufmax: 1,25В; 360мВт, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: BAS16TT1G
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Диод: импульсный; SMD; 100В; 200мА; 6нс; SOT416; Ufmax: 1,25В; 360мВт
- Склад:
Технические параметры
- Load current: 200mA
- Leakage current: 50µA
- Reverse recovery time: 6ns
- Diode type: switching
- Max. forward voltage: 1.25V
- Off state voltage max.: 100V
- Semiconductor structure: single diode
- Max. forward impulse current: 0.5A
- Mounting: SMD
- Case: SOT416
- Capacitance: 2pF
- Power dissipation: 360mW