КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыДиодыМалосигнальные диоды1N4448

1N4448, Diode DO-35B 100 V, NXP

Арт: 170-00-599
1N4448, Diode DO-35B 100 V, NXP
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Diode DO-35B 100 V Семейство Небольшие сигнальные диоды Технические параметры
    • Manufacturer: NXP
    • Тип корпуса: DO-35B
    • Ток проводимости: 200 мА
    • Рабочая температура: -65...200 °C
    • Время восстановления: 4 ns
    • Напряжение проводимости: 1 V If=100 mA
    • Рабочая температура, мин.: -65 °C
    • Рабочая температура, макс.: 200 °C
    • Напряжение в закрытом состоянии: 100 В