Технические параметры
- Корпус: DO214AB
- Монтаж: SMD
- Ток утечки: 2мкА
- Напряжение пробоя: 63.15В
- Тип диода: защитный
- Вид упаковки: бобина
- Импульсный ток: 34.4А
- Потери мощности: 3кВт
- Конструкция диода: однонаправленный
- Характреные особенности: glass passivated
- Обратное напряжение макс.: 54В
- Погрешность: ±5%