Трехфазный диодный мост; 1,6кВ; 30А; G11b Технические параметры
- Electrical mounting: THT
- Forward current: 28A
- Housing: G10b
- Kind of package: россыпью
- Leads: коннекторы 6,3x0,8мм
- Manufacturer: SEMIKRON
- Max. forward impulse current: 370A
- Max. forward voltage: 1.9V
- Mounting: THT
- Off state voltage max.: 1.6kV
- Rated current: 30A
- Semiconductor structure: диод/диод
- Type of semiconductor component: трехфазный диодный мост
- Variant: G11b
- Version: квадратные