ГлавнаяКаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы с резисторами
Цены указаны без НДС
RN1970(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased US6 TRANSISTOR Pd 50mW F 1Mhz (LF)
арт:
757-RN1970TE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased US6 TRANSISTOR Pd 50mW F 1Mhz (LF)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN1971TE85LF Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
арт:
757-RN1971TE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2101,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor with Built-in Transistor
арт:
757-RN2101LFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor with Built-in Transistor
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2101,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
арт:
757-RN2101LXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2101MFV,L3F(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased 4.7kohm/4.7kohm 0.1A SOT-723 50V
арт:
757-RN2101MFVL3FCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased 4.7kohm/4.7kohm 0.1A SOT-723 50V
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2101MFV,L3XHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
арт:
757-RN2101MFVL3XHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2102,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor with Built-in Transistor
арт:
757-RN2102LFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor with Built-in Transistor
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2102,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
арт:
757-RN2102LXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2102MFV,L3F(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased 10kohm 10kohm 0.1A SOT-723 50V
арт:
757-RN2102MFVL3FCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased 10kohm 10kohm 0.1A SOT-723 50V
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2102MFV,L3XHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2103,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416   (SSM) package
арт:
757-RN2103LFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416   (SSM) package
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2103,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
арт:
757-RN2103LXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2103MFV,L3F Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
арт:
757-RN2103MFVL3F
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2103MFV,L3F(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased 22kohm 22kohm 0.1A SOT-723 50V
арт:
757-RN2103MFVL3FCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased 22kohm 22kohm 0.1A SOT-723 50V
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2103MFV,L3XHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
арт:
757-RN2103MFVL3XHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2103MFV(TPL3) Bipolar Transistors - Pre-Biased -50V -100mA 22x22Kohms
арт:
757-RN2103MFV(TPL3)
Bipolar Transistors - Pre-Biased -50V -100mA 22x22Kohms
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2104,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416   (SSM) package
арт:
757-RN2104LFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416   (SSM) package
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2104,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
арт:
757-RN2104LXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2104MFV,L3XHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
арт:
757-RN2104MFVL3XHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2105,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416   (SSM) package
арт:
757-RN2105LFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416   (SSM) package
производитель:
Toshiba
Склад: