КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы с резисторамиRN1417,LF

RN1417,LF, Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346   (S-Mini) package, Toshiba

Арт: 757-RN1417LF
RN1417,LF, Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346   (S-Mini) package, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт: 757-RN1417LF
  • Наименование: RN1417,LF
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346   (S-Mini) package
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346   (S-Mini) package Технические параметры
    • Manufacturer: Toshiba