КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы с резисторамиRN1710,LF

RN1710,LF, Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, Toshiba

Арт: 757-RN1710LF
RN1710,LF, Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт: 757-RN1710LF
  • Наименование: RN1710,LF
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A Технические параметры
    • Manufacturer: Toshiba