КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы с резисторамиRN1107MFV,L3XHF(CT

RN1107MFV,L3XHF(CT, Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723), Toshiba

Арт: 757-RN1107MFVL3XHFCT
RN1107MFV,L3XHF(CT, Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723), Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт: 757-RN1107MFVL3XHFCT
  • Наименование: RN1107MFV,L3XHF(CT
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) Технические параметры
    • Manufacturer: Toshiba