КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы с резисторамиRN2106,LF(CT

RN2106,LF(CT, Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416   (SSM) package, Toshiba

Арт: 757-RN2106LFCT
RN2106,LF(CT, Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416   (SSM) package, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт: 757-RN2106LFCT
  • Наименование: RN2106,LF(CT
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416   (SSM) package
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416   (SSM) package Технические параметры
    • Manufacturer: Toshiba