КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы с резисторамиRN4985FE,LF(CT

RN4985FE,LF(CT, Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN + PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, Toshiba

Арт: 757-RN4985FELFCT
RN4985FE,LF(CT, Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN + PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт: 757-RN4985FELFCT
  • Наименование: RN4985FE,LF(CT
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN + PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN + PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A Технические параметры
    • Manufacturer: Toshiba