КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы с резисторамиMUN5232DW1T1G

MUN5232DW1T1G, Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 100мА; 187мВт; SOT363, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
MUN5232DW1T1G, Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 100мА; 187мВт; SOT363, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: MUN5232DW1T1G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 100мА; 187мВт; SOT363
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 100мА; 187мВт; SOT363 Технические параметры
    • Base resistor: 4.7kΩ
    • Base-emitter resistor: 4.7kΩ
    • Case: SOT363
    • Collector current: 0.1A
    • Collector-emitter voltage: 50V
    • Housing: SOT363
    • Kind of package: лента
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mount: SMD
    • Mounting: SMD
    • Polarisation: bipolar
    • Polarity: биполярный
    • Transistor kind: BRT
    • Transistor type: NPN x2
    • Коэффициент усиления по току: 30
    • Мощность: 187mW
    • Напряжение коллектор-эмиттер: 50V
    • Потери мощности: 385mW