КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы с резисторамиRN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 100мВт; ES6; 4,7кОм, Toshiba

Арт:
RN1910FE,LF(CT, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 100мВт; ES6; 4,7кОм, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: RN1910FE,LF(CT
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 100мВт; ES6; 4,7кОм
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 100мВт; ES6; 4,7кОм Технические параметры
    • Base resistor: 4.7kΩ
    • Case: ES6
    • Collector current: 0.1A
    • Collector-emitter voltage: 50V
    • Current gain: 120...700
    • Frequency: 250MHz
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: Toshiba
    • Mounting: SMD
    • Polarisation: bipolar
    • Power dissipation: 100mW
    • Transistor kind: BRT
    • Type of transistor: NPN x2