КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы с резисторамиBCR112E6327HTSA1

BCR112E6327HTSA1, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23; R1: 4,7кОм, Infineon

Арт: 302-83-842
BCR112E6327HTSA1, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23; R1: 4,7кОм, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-83-842
  • Наименование: BCR112E6327HTSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23; R1: 4,7кОм
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23; R1: 4,7кОм Технические параметры
    • Automotive Qualification Standard: AEC-Q101
    • Base resistor: 4.7kΩ
    • Base-emitter resistor: 4.7kΩ
    • Case: SOT23
    • Collector current: 0.1A
    • Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 300mV
    • Collector-Base Voltage (Vcbo): 50V
    • Collector-emitter voltage: 50V
    • Collector-Emitter Voltage (Vceo): 50V
    • Continuous Collector Current (Ic): 100mA
    • Emitter-Base Voltage (Vebo): 10V
    • Frequency: 140MHz
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: SMD
    • Mounting Type: SMD
    • MSL: Level-1
    • Operating Frequency: 140MHz
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Optical Sensor Output Type: NPN
    • Outputs: 1
    • Package Type: SOT-23
    • Packaging: Tape & Reel
    • Phases: Single
    • Polarisation: bipolar
    • Power dissipation: 0.2W
    • Power Dissipation (Pd): 200mW
    • Sheets: 20
    • Transistor kind: BRT
    • Type of transistor: NPN
    • Typical Input Resistor: 4.7kΩ