КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы с резисторамиMMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 25В; 225/300мВт; SOT23, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
MMBTH10LT1G, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 25В; 225/300мВт; SOT23, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: MMBTH10LT1G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: NPN; биполярный; RF; 25В; 225/300мВт; SOT23
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: NPN; биполярный; RF; 25В; 225/300мВт; SOT23 Технические параметры
    • Case: SOT23
    • Collector-emitter voltage: 25V
    • Current gain: 60...240
    • Frequency: 650MHz
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • Polarisation: bipolar
    • Power dissipation: 225/300mW
    • Transistor kind: RF
    • Type of transistor: NPN