Технические параметры
- Frequency: 650MHz
- Collector-emitter voltage: 25V
- Current gain: 60...240
- Polarisation: bipolar
- Transistor kind: RF
- Mounting: SMD
- Case: SOT23
- Type of transistor: NPN
- Power dissipation: 225/300mW
MMBTH10LT1G, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 25В; 225/300мВт; SOT23, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: MMBTH10LT1G
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: NPN; биполярный; RF; 25В; 225/300мВт; SOT23
- Склад:
Технические параметры