КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFQI13N50CTU

FQI13N50CTU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 8А; Idm: 52А; 195Вт; I2PAK, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FQI13N50CTU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 8А; Idm: 52А; 195Вт; I2PAK, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FQI13N50CTU
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 8А; Idm: 52А; 195Вт; I2PAK
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 8А; Idm: 52А; 195Вт; I2PAK Технические параметры
    • Case: I2PAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 8A
    • Drain-source voltage: 500V
    • Gate charge: 56нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 480mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 195W
    • Pulsed drain current: 52A
    • Type of transistor: N-MOSFET