КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFQI27N25TU

FQI27N25TU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 16,2А; Idm: 102А; 180Вт; I2PAK, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FQI27N25TU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 16,2А; Idm: 102А; 180Вт; I2PAK, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FQI27N25TU
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 16,2А; Idm: 102А; 180Вт; I2PAK
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 16,2А; Idm: 102А; 180Вт; I2PAK Технические параметры
    • Case: I2PAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 16.2A
    • Drain-source voltage: 250V
    • Gate charge: 65нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 110mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 180W
    • Pulsed drain current: 102A
    • Type of transistor: N-MOSFET